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SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 18.6 A, 0.008 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4463CDY-T1-GE3
No. Parte Newark64T4067
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id18.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.008ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4463CDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 2.5VGS adecuado para interruptor adaptador, interruptor de carga de alta corriente y aplicaciones de notebook.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
5W
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.008ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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