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SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV RoHS Compliant: Yes
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| 50+ | $1.380 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4564DY-T1-GE3
No. Parte Newark64T4069
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N10A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P10A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0145ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0145ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
10A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0145ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
10A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0145ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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