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SI4835DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4835DDY-T1-GE3
No. Parte Newark23T8517
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd5.6W
Disipación de Potencia5.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4835DDY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET canal P 30V (D-S)
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
- Aplicable para interruptores de carga, PC portátiles y PC de escritorio.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
5.6W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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