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SI4850EY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850EY-T1-E3
No. Parte Newark35K3477
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id8.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd3.3W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SI4850EY-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4850EY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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