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SI4948BEY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal P, 60 V, 2.4 A
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $1.590 |
| 25+ | $1.450 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.170 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4948BEY-T1-GE3
No. Parte Newark55R1930
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id2.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente100
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4948BEY-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal P alojado en un paquete de montaje en superficie.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
100
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4948BEY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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