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SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET, DUAL, P-CH, -12V, -4.9A, TSSOP-8
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6913DQ-T1-GE3
No. Parte Newark04AJ4590
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N830mW
Disipación de Potencia de Canal P830mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.016ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
830mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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