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SI7141DP-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 60 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7141DP-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3341
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.0024ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0024
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd104W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0024ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0024
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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