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SI7172DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 25 A, 0.076 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7172DP-T1-GE3
No. Parte Newark16P3828
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.076ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.076
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5.4W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia5.4
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.076ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.076
Disipación de Potencia Pd
5.4W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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