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SI7216DN-T1-E3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 40 V, 6 A, 3.2 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7216DN-T1-E3.
No. Parte Newark26AC3342
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N20.8
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3.2
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
20.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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