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SI7272DP-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 25 A, 9.3 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7272DP-T1-GE3.
No. Parte Newark28AC2162
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id25A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N25
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente9.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N22
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
25
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
9.3
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
22
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto