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SI7434ADP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 12.3 A, 150 mohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7434ADP-T1-RE3
No. Parte Newark78AC6545
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7434ADP-T1-RE3
No. Parte Newark78AC6545
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id12.3
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia54.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
54.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto