Imprimir página
SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 27.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
5,971 En Stock
¿Necesita más?
416 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
5555 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $1.130 |
| 25+ | $1.120 |
| 50+ | $1.040 |
| 100+ | $0.958 |
| 500+ | $0.862 |
| 1000+ | $0.821 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.40
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7456DDP-T1-GE3
No. Parte Newark63W4148
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id27.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.023ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia Pd35.7W
Disipación de Potencia35.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 100V (D-S) para uso en interruptor lateral primario de CD/CD, telecomunicaciones/servidor de 48V, CD/CD de medio puente o completo, rectificación industrial y síncrona.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.023ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
35.7W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia
35.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto