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SI7540ADP-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 20 V, 8 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7540ADP-T1-GE3
No. Parte Newark10AC9119
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7540ADP-T1-GE3
No. Parte Newark10AC9119
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Intensidad Drenador Continua Id8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0115
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0115
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6
Disipación de Potencia de Canal P1.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI7540ADP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de 20 V (D-S) de canal N y P adecuado para uso en convertidores CD/CD, convertidor reductor síncrono, rectificador síncrono, interruptor de carga e interruptor de accionamiento de motor.
- TrenchFET® power MOSFET
- PowerPAK® térmicamente mejorado
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0115
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0115
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto