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SI7617DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7617DN-T1-GE3
No. Parte Newark49AM1990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0123
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0123
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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