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SI7617DN-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 35 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7617DN-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3348
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds35
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0103
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.7W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0103
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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