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SI7625DN-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7625DN-T1-GE3.
No. Parte Newark30AC0201
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia de Activación Rds(on)0.0088ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0088
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0088ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0088
Disipación de Potencia Pd
52W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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