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SI7625DN-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7625DN-T1-GE3.
No. Parte Newark30AC0201
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0088
Resistencia de Activación Rds(on)0.0088ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd52W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0088
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0088ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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