Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7812DN-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W3224
Cinta adhesiva85W3224
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $1.010 | $3,030.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3,030.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.010 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7812DN-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W3224
Cinta adhesiva85W3224
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037
Resistencia de Activación Rds(on)0.031ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI7812DN-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 75 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado primario.
- Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07mm
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.031ohm
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7812DN-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
