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SI7820DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 2.6 A, 0.25 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7820DN-T1-GE3
No. Parte Newark26R1937
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Disipación de Potencia Pd1.5W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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