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SI7850DP-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7850DP-T1-GE3.
No. Parte Newark28AC2180
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7850DP-T1-GE3.
No. Parte Newark28AC2180
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id6.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
1.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto