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SI7892BDP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 25 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7892BDP-T1-E3
No. Parte Newark64R4910
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.0057ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0042
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd5W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0057ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0042
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7892BDP-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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