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SI7938DP-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
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| 250+ | $1.410 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7938DP-T1-GE3
No. Parte Newark49AM1992
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0048
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.5
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0048
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7938DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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