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SI7994DP-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 500+ | $2.800 |
| 1000+ | $2.080 |
| 2500+ | $2.070 |
| 5000+ | $2.060 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7994DP-T1-GE3
No. Parte Newark97W2715
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0046ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0046ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.5W
Disipación de Potencia de Canal P3.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0046ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0046ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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