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SI8457DB-T1-E1
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 10.2 A, 0.019 ohm, MICRO FOOT, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8457DB-T1-E1
No. Parte Newark87X4352
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id10.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Resistencia de Activación Rds(on)0.015ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd2.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Disipación de Potencia2.7
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.7W
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.015ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
Disipación de Potencia
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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