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SI9407BDY-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9407BDY-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3352
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id4.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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