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SI9926CDY-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 20 V, 8 A, 1.8 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9926CDY-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3353
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.8mohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.8mohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto