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SIA112LDJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A, POWERPAK SC-70 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA112LDJ-T1-GE3
No. Parte Newark68AK9894
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
4,300 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.160 |
| 10+ | $0.834 |
| 25+ | $0.758 |
| 50+ | $0.681 |
| 100+ | $0.605 |
| 250+ | $0.554 |
| 500+ | $0.502 |
| 1000+ | $0.468 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.16
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA112LDJ-T1-GE3
No. Parte Newark68AK9894
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id8.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.119ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia15.6W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.8A
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
15.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.119ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto