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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA433EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark79R5403
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1000+ | $0.331 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$993.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA433EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark79R5403
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SIA433EDJ-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga, interruptor de batería y interruptor de cargador.
- Nuevo paquete PowerPAK® térmicamente mejorado
- Área de pequeña huella
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Probado Rg 100%
- Construido en protección ESD con diodo Zener
- Desempeño ESD de 1800V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIA433EDJ-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto