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SIA975DJ-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal P, 12 V, 4.5 A
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5000+ | $0.300 |
| 10000+ | $0.277 |
| 20000+ | $0.258 |
| 30000+ | $0.241 |
| 50000+ | $0.230 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA975DJ-T1-GE3.
No. Parte Newark28AC2100
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente4.1
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P7.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
4.1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
7.8
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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