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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB120N60E-T1-GE3
No. Parte Newark15AJ3204
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.104ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia179W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
179W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
E
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.104ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto