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SIHB23N60E-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.090 |
| 10+ | $2.870 |
| 25+ | $2.750 |
| 50+ | $2.700 |
| 100+ | $2.700 |
| 500+ | $2.670 |
| 1000+ | $2.560 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB23N60E-GE3
No. Parte Newark40X8671
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.158ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia227W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.158ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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