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SIHG47N60EF-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 47 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG47N60EF-GE3
No. Parte Newark99W9489
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id47
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd379W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-247AC
Disipación de Potencia379
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-247AC
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
47
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Disipación de Potencia Pd
379W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
379
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIHG47N60EF-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto