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SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 34 A, 0.059 ohm, PowerPAK, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHH068N60E-T1-GE3
No. Parte Newark99AC0535
Rango de ProductoE Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id34A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.059
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia202W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.059
Diseño de Transistor
PowerPAK
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
E Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
34A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
202W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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