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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.920 |
| 10+ | $1.290 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.929 |
| 250+ | $0.856 |
| 500+ | $0.782 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHU2N80AE-GE3
No. Parte Newark93AH0387
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id2.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.9ohm
Diseño de TransistorTO-251 (IPAK)
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-251 (IPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.9ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto