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SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 60 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ478DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0385
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
250 En Stock
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ478DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0385
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6400µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia62.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6400µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Disipación de Potencia
62.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto