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SIR422DP-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 40 A, 0.0066 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR422DP-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3305
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0066
Resistencia de Activación Rds(on)0.0054ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd34.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia34.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0066
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0054ohm
Disipación de Potencia Pd
34.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
34.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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