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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR681DP-T1-RE3
No. Parte Newark15AJ3208
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
32,753 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $4.070 |
10+ | $2.970 |
25+ | $2.730 |
50+ | $2.500 |
100+ | $2.260 |
250+ | $2.150 |
500+ | $2.030 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR681DP-T1-RE3
No. Parte Newark15AJ3208
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id71.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0112ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia104W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
71.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0112ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto