Imprimir página
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR692DP-T1-RE3
No. Parte Newark15AC8648
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
6,267 En Stock
¿Necesita más?
268 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
5999 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.880 |
| 25+ | $2.550 |
| 100+ | $2.080 |
| 500+ | $1.860 |
| 1000+ | $1.460 |
| 2500+ | $1.410 |
| 5000+ | $1.360 |
| 10000+ | $1.350 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.88
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR692DP-T1-RE3
No. Parte Newark15AC8648
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id24.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.052ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia104
Disipación de Potencia Pd104W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 250V (D-S) adecuado para su uso en convertidores CD/CD, conmutación del lado primario, rectificación síncrona y CD/CA e inversores.
- La tecnología ThunderFET® optimiza el equilibrio de RDS (encendido), Qi, Qsw y Qoss
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.052ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
104
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto