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SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 80.8 A, 0.0051 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR826BDP-T1-RE3
No. Parte Newark99AC0540
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR826BDP-T1-RE3
No. Parte Newark99AC0540
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id80.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5100µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5100µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto