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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR880BDP-T1-RE3
No. Parte Newark50AJ6062
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
6,002 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.930 |
10+ | $1.430 |
25+ | $1.300 |
50+ | $1.160 |
100+ | $1.040 |
250+ | $0.954 |
500+ | $0.872 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR880BDP-T1-RE3
No. Parte Newark50AJ6062
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id70.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia71.4W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
71.4W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto