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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 10+ | $2.990 |
| 25+ | $2.740 |
| 50+ | $2.510 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.150 |
| 500+ | $2.030 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA99DP-T1-GE3
No. Parte Newark10AH0970
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0013ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd104W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto