Imprimir página
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 18A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS447DN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0414
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
9,833 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.540 |
| 25+ | $1.270 |
| 100+ | $0.837 |
| 500+ | $0.702 |
| 1000+ | $0.564 |
| 2500+ | $0.541 |
| 10000+ | $0.521 |
| 25000+ | $0.513 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.54
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS447DN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0414
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0071ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0071ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto