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SISH521EDN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V/104A, POWERPAK 12128SH ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISH521EDN-T1-GE3
No. Parte Newark51AM4579
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.250 |
| 10+ | $1.130 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.930 |
| 100+ | $0.842 |
| 250+ | $0.741 |
| 500+ | $0.651 |
| 1000+ | $0.542 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.25
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISH521EDN-T1-GE3
No. Parte Newark51AM4579
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id104A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8SH
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
104A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8SH
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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