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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS27ADN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0408
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
19,995 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.340 |
25+ | $1.170 |
100+ | $0.957 |
500+ | $0.857 |
1000+ | $0.677 |
2500+ | $0.650 |
5000+ | $0.627 |
10000+ | $0.620 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS27ADN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0408
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0051ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia57W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0051ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto