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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.080 |
| 10+ | $1.680 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.380 |
| 100+ | $1.240 |
| 250+ | $1.140 |
| 500+ | $1.040 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS60DN-T1-GE3
No. Parte Newark10AH0979
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N + Schottky
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id181.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1310µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.00109ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd65.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia65.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1310µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia Pd
65.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
181.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00109ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
65.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto