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SISS73DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 16.2 A, 0.1 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $1.420 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS73DN-T1-GE3
No. Parte Newark10AH0981
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id16.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd65.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia65.8
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
65.8W
Disipación de Potencia
65.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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