Imprimir página
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ260DT-T1-GE3
No. Parte Newark42AH1983
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
6,230 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.187 |
| 10+ | $0.187 |
| 25+ | $0.187 |
| 50+ | $0.187 |
| 100+ | $0.187 |
| 250+ | $0.187 |
| 500+ | $0.187 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.19
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ260DT-T1-GE3
No. Parte Newark42AH1983
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P80
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N24.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P24.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0204
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0204
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N33
Disipación de Potencia de Canal P33
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza SIZ260DT-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
80
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
24.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0204
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
33
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
24.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0204
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
33
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto