Imprimir página
SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 60A, POWERPAIR
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ998DT-T1-GE3
No. Parte Newark43AC4021
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
11,484 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 25+ | $1.920 |
| 100+ | $1.560 |
| 500+ | $1.400 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.060 |
| 5000+ | $1.030 |
| 10000+ | $1.010 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.17
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ998DT-T1-GE3
No. Parte Newark43AC4021
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0022ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0022ohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N32.9W
Disipación de Potencia de Canal P32.9W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0022ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
32.9W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0022ohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
32.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto