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SIZF914DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 60A, POWERPAIR
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF914DT-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2800
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 34 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 10+ | $1.350 |
| 25+ | $1.270 |
| 50+ | $1.190 |
| 100+ | $1.110 |
| 250+ | $1.020 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.11
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF914DT-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2800
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P25V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente600µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente600µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N60W
Disipación de Potencia de Canal P60W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
600µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
60W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
600µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto