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SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 8 A, 0.031 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2318AES-T1_BE3
No. Parte Newark80AH8963
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2318AES-T1_BE3
No. Parte Newark80AH8963
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia3
Disipación de Potencia Pd3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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