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SQ3457EV-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3457EV-T1_GE3
No. Parte Newark75AH9250
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3457EV-T1_GE3
No. Parte Newark75AH9250
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id6.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia5W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5W
Núm. de Contactos
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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